viernes, 6 de noviembre de 2015

Introducción.


¿Qué es Memoria RAM?:


La memoria RAM es la memoria principal de un dispositivo donde se almacena programas y datos informativos. Las siglas RAM significan “Random Access Memory” traducido al español es “Memoria de Acceso Aleatorio”.  
La memoria RAM es conocida como memoria volátil lo cual quiere decir que los datos no se guardan de manera permanente, es por ello, que cuando deja de existir una fuente de energía en el dispositivo la información se pierde.
Los módulos de  RAM, conocidos como memoria RAM son integrantes del hardware que contiene circuitos integrados que se unen al circuito impreso, estos módulos se instalan en la tarjeta madre de un ordenador.






Tipos de memoria RAM


Son las siglas de la voz inglesa Static Random Access Memory, que significa memoria estática de acceso aleatorio (o RAM estática), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos, mientras siga alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Este concepto surge en oposición al de memoria DRAM (RAM dinámica), con la que se denomina al tipo de tecnología RAM basada en condensadores, que sí necesita refresco dinámico de sus cargas.
Existen dos tipos: volátiles y no volátiles, cuya diferencia estriba en si los datos permanecen o se volatilizan en ausencia de alimentación eléctrica.

La memoria de acceso aleatorio no volátil, referida a veces por sus siglas en inglés NVRAM (Non-volatile random access memory) es un tipo de memoria de acceso aleatorio que, como su nombre indica, no pierde la información almacenada al cortar la alimentación eléctrica.
 Hoy día, la mayoría de memorias NVRAM son memorias flash ya que son muy usadas para teléfonos móviles y reproductores portátiles de audio.
La necesidad de mantener los datos, incluso cuando cesa la alimentación, motivó el surgimiento de diversos tipos de memorias ROM reprogramables: eléctricamente alterables - EAROM, eléctricamente borrables - EEPROM, programables y borrables - PEROM y flash EEPROM. Cada nuevo tipo mejora la facilidad de grabación y duración de los datos, pero distan de poder utilizarse como memoria RAM.

(RAM magnetoresistive o magnética) (En inglés: magnetoresistive random-access memory) es un tipo de memoria no volátil que ha estado en desarrollo desde los años 90. El desarrollo continuado de la tecnología existente, principalmente Flash y DRAM, han evitado la generalización de su uso, aunque sus defensores creen que sus ventajas son tan evidentes que antes o después se convertirá en la tecnología dominante para todos los tipos de memorias. 




DRAM 

Son las siglas de la voz inglesa Dynamic Random Access Memory, que significa memoria dinámica de acceso aleatorio (o RAM dinámica), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco. Se usa principalmente como módulos de memoria principal RAM de ordenadores y otros dispositivos. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo.


SDRAM 

(Siglas en inglés de synchronous dynamic random-access memory) es una familia de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) que tienen una interfaz síncrona.
Las memorias SDRAM son ampliamente utilizadas en los ordenadores, desde la original SDR SDRAM y las posteriores DDR, DDR2 y DDR3. Actualmente se están produciendo las DDR4 y ya están disponibles en el mercado. Las memorias SDRAM también están disponibles en variedades registradas, para sistemas que requieren una mayor escalabilidad, como servidores y estaciones de trabajo.

Es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.
El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas y número de pines. Este tipo de memoria se utilizó en la videoconsola Nintendo 64 en  y otros aparatos de posterior salida.

 (extreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2, SDRAM y GDDR4. XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño así como en GPUs de alto rendimiento.

XDR2 DRAM es un tipo de  memoria dinámica de acceso aleatorio que se ofrece por Rambus. Se anunció el 7 de julio de 2005  y la especificación para el cual fue lanzado el 26 de marzo de 2008. XDR2 Rambus ha diseñado como una evolución de, y el sucesor, XDR DRAM.XDR2 DRAM está destinado para su uso en las tarjetas gráficas de gama alta y equipos de red.

Las memorias SDR SDRAM son memorias síncronas, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos.
Está muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió muy rápido la denominación incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son memorias síncronas dinámicas.

 ( de las siglas en inglés Double  Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas ya desde principios de 1970. Su primera especificación se publicó en junio de 2000.
DDR permite a ciertos módulos de memoria RAM compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, la capacidad de transferir simultáneamente datos por dos canales distintos en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes).
Una de sus características es que solo tiene una muesca, y cuenta con 184 terminales de color dorado. Esta memoria opera con 2.5 volts.
(De las siglas en Inglés Double Data Rate type two Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las  SDRAM usadas ya desde principios de 1970.
Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida funcionen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias.
Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios y 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energía en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que funcionaban a 0 y 2,5 voltios.
Terminación de señal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminación integrada" u ODT) para evitar errores de transmisión de señal reflejada.

(De las siglas en inglés, Double Data Rate type three Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAMusadas ya desde principios de 2010.
DDR3 SDRAM permite usar integrados de 1 MiB a 8 GiB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GiB.
Los DDR3 tienen 240 contactos, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.
El principal beneficio de instalar DDR3 es la posibilidad de hacer transferencias de datos más rápidamente, y con esto obtener velocidades de transferencia y de bus más altas que las versiones DDR2.
Proporciona significativas mejoras de rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que conlleva una disminución global del consumo eléctrico.
 No hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta.

 (De las siglas en inglés Double Data Rate type 4 Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria de computadora de acceso aleatorio (de la familia de las SDRAM 
 Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pines DIMM.
 Las memorias DDR4 SDRAM tienen un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR predecesoras. Tienen un gran ancho de banda en comparación con sus versiones anteriores
Sus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 son una tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos,  la tensión es también menor a sus antecesoras DDR4 también apunta un cambio en la topología descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoria está conectado a un módulo único.
No es compatible con versiones anteriores por diferencias en los voltajes, interfaz física y otros factores. Tiene una mayor latencia lo que reduce su rendimiento.


Algunos problemas que pueden surgir en la memoria y sus posibles soluciones: 
Como ya vimos la memoria RAM es un componente muy importante de la computadora, por lo que si llega a presentar problemas es importante corregirlos para que el equipo tenga un funcionamiento más óptimo y eficaz. Algunos de los problemas que pueden presentarse en las memorias RAM son:

-La computadora arranca con una pantalla en blanco: Si la computadora puede arrancar pero la pantalla está en blanco, significa un error al comienzo de la verificación de la memoria. Los tipos de condiciones que deben buscarse son una tarjeta de expansión desajustada, un módulo de memoria que no está bien encajado, o un módulo de memoria no soportado.
Solución: Confirme que todas las tarjetas de expansión y módulos de memoria estén bien encajados en sus zócalos y revise que la memoria instalada sea compatible con el sistema revisando sus números de partes.


-El POST produce un sólo código audible: Recuerde que un sólo código audible puede significar todo bien o indicar una falla de memoria. Si el arranque continúa, el código audible significó todo bien. Si se detiene, (Solución) revise la memoria para ver si está bien instalada y configurada en el BIOS apropiadamente. 

-La pantalla de la computadora muestra un mensaje de error: 

Error de desigualdad de memoria 
Interrupción de paridad de memoria en nnnnn 
Error de dirección de memoria en nnnnn 
Falla de memoria en nnnnn, lectura nnnnn, esperando nnnn 
Error de verificación de memoria en nnnnn, donde nnnnn es la dirección física en la memoria RAM de la falla de memoria 

Estos errores apuntan generalmente a problemas entre la memoria antigua y la nueva o un módulo de memoria que falla.
Solución: Si se retira el módulo de memoria recién instalada y se elimina el error, remplace la memoria anterior con la nueva. Si el error aparece de nuevo, la memoria nueva está defectuosa o no es compatible con el
 
sistema. Otro motivo de estos mensajes puede ser un problema con la tarjeta madre.
 


-Problemas de memoria relacionados con el software: Los problemas bajo esta categoría incluyen errores de registro, fallas de protección general y de página y errores de excepción. Los errores de registro ocurren cuando el sistema operativo Windows escribe partes del registro a una porción defectuosa de la memoria 
RAM. Los errores de software producen fallas y errores de excepción. Por ejemplo, una aplicación puede liberar su memoria cuando se termine o puede tratar de ocupar la misma dirección de memoria que otra.
Solución: Reiniciar la computadora generalmente resuelve este problema.